- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录451 > IXFC14N60P (IXYS)MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
IXFC14N60P
50
45
Fig. 7. Input Admittance
27
24
Fig. 8. Transconductance
40
21
T J = - 40oC
25oC
35
30
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
15
125oC
12
20
15
10
5
0
9
6
3
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
45
40
35
30
25
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 7A
I G = 10mA
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1,000
Ciss
10
25μs
100μs
100
Coss
1
10ms
1ms
10
1
f = 1 MHz
Crss
0
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFC15N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
IXFC22N60P
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
IXFC24N50
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
IXFC26N50P
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
IXFC36N50P
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
IXFC60N20
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
IXFC74N20P
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
相关代理商/技术参数
IXFC14N80P
功能描述:MOSFET 8 Amps 800V 0.77 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC15N80Q
功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC16N50P
功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC16N80P
功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC20N80P
功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC22N60P
功能描述:MOSFET 600V 22A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC24N50
功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC26N50
功能描述:MOSFET 23 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube